urn-on and turn-off gate losses. Most of the power is in the MOSFET gate driver. Gatedrive losses are frequency dependent and are also a function of the gate capacitance of the MOSFETs. When turning the MOSFET on and off, the higher the switching frequency, the higher the gate-drive losses. This is another reason why efficiency goes down as the switching frequency goes up.

CVTE電源工程師面試題

（1）說(shuō)說(shuō)你的項(xiàng)目，你具體負(fù)責(zé)那一塊？
（2）說(shuō)說(shuō)比較器和放大器的區(qū)別？
（3）過(guò)零檢測(cè)與軟件過(guò)零有何優(yōu)缺點(diǎn)？

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1、mos的米勒平臺(tái)是如何形成的？
2、開關(guān)為什么一般選用MOS而不是三極管？mos與三極管的區(qū)別
3、比較器與放大器的區(qū)別

cvte電源工程師面試題

1、mos的米勒平臺(tái)是如何形成的？
2、開關(guān)為什么一般選用MOS而不是三極管？mos與三極管的區(qū)別
3、比較器與放大器的區(qū)別

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技術(shù)1面，電話面試，問(wèn)運(yùn)算放大器的基本特性:虛短虛斷，問(wèn)正弦逆變電源的mos管開關(guān)周期，問(wèn)趨膚效應(yīng)什么意思。

CVTE電源工程師面試題

問(wèn)運(yùn)算放大器的基本特性:虛短虛斷，問(wèn)正弦逆變電源的mos管開關(guān)周期，問(wèn)趨膚效應(yīng)什么意思。

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